經過多年技術積累和工藝創新，進入2022年以來，格科微連續推出3顆基于自有知識產權 65nm+ CIS工藝平臺和 FPPI (Floating Poly Pixel Isolation)專利技術的智慧城市/汽車電子系列新品：GC2083、GC3003、GC4023。其憑借優越的性能，特別是卓越的高溫圖像表現，星光級超低噪聲暗態效果以及高性價比，進?步豐富了格科微CMOS圖像傳感器產品線，將最大限度滿足非手機市場不同客戶的需求。

GC2083 2M FSI | 2.7µm | 1/3inch

已大規模量產

得益于格科微獨有的65nm+ CIS工藝平臺和FPPI專利技術，該產品的信噪比、動態范圍、暗電流、?溫熱噪聲和低照度靈敏度，均優于市場競品，市場反饋圖像質量在同規格產品中遙遙領先。

GC4023 4M FSI | 2.3µm | 1/2.7inch

工程樣品階段

該產品同樣基于格科微65nm＋ CIS工藝平臺和FPPI專利技術，圖像效果非常驚艷，媲美甚至部分性能優于友商的相同尺寸BSI產品，有望成為下一顆智慧城市4M產品線的明星產品。

GC3003 3M FSI | 2.45µm | 1/2.8inch

試流片階段，即將推出工程樣品

其與GC2083，GC4023工藝節點和專利技術相同，性能值得市場期待。

格科微自有知識產權的65nm+ CIS平臺，是基于目前業界成熟的65nm邏輯制程，為滿足CIS器件的特殊要求，針對性地精?優化了工藝技術，包括調整了氧化、CVD、刻蝕、離子注入等大量工藝步驟，從而在顯著降低晶體管的1/f噪聲和電路白噪聲的同時，大大降低像素的暗電流, 熱噪聲, 高溫白點等指標, 讓CIS芯片的低噪高溫表現更為優秀。

相?于傳統的FSI像素?STI淺槽和/或PN結作為像素之間光電信號隔離，格科微專利的FPPI 像素隔離技術，徹底消除了STI隔離帶來的側壁Si/SiO2界面的各種界面態和陷阱復合中心等白點及暗電流來源，在高溫下效果尤其明顯。另?方面，也避免了單純靠PN結隔離帶來的光學cross-talk加大和滿阱容量下降等無法克服的缺點。

實測結果證明：相比傳統的STI 隔離技術，FPPI?藝能夠在80°C條件下，Hot Pixel數?下降20%，Dark Current下降10%。相應地，對?于PN結隔離，光學Cross-talk下降5%，Well Capacity增加10%。

先進技術的研發成功，為格科微非手機產品線的高速發展提供了源源不斷的動力。格科微將繼續以科技創新為基石，為行業客戶提供優良的解決方案，與客戶共同成長，讓世界看到中國的創新！